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  • 產品名稱：
    4N60L-TN3-R 低反向傳輸電容
  • 功能名稱：
    低反向傳輸電容
  • 概要：

    ■產品名稱：4N60L-TN3-R

    ■功能名稱：低反向傳輸電容

    ■概要:

    UTC 4N60 是一款高壓功率 MOSFET，其設計具有更好的特性，例如開關時間快、柵極電荷低、導通電阻低，并具有高度堅固的雪崩特性。這種功率 MOSFET 通常用于電源、PWM 電機控制、高效 DC 到 DC 轉換器和橋式電路中的高速開關應用。
     
     
    ■特征：

    ●RDS(ON)= 2.5Ω@VGS= 10 V
     
    ●超低柵極電荷（典型值為 15 nC） 
     
    ●低反向傳輸電容（CRSS= 典型值 8.0 pF）
     
    ●快速切換能力
     
    ●指定雪崩能量
     
    ●改進的 dv/dt 能力，高堅固性
     
     
  • 特征：

    • * RDS(ON)= 2.5Ω@VGS= 10 V * 超低柵極電荷（典型值為 15 nC） * 低反向傳輸電容（CRSS= 典型值 8.0 pF） * 快速切換能力 * 指定雪崩能量 * 改進的 dv/dt 能力，高堅固性
  • 技術資料下載：