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  • 產品名稱：
    NJG1812ME4 高功率DPDT射頻開關 GaAs MMIC
  • 功能名稱：
    高功率DPDT射頻開
  • 概要：

    ■產品名稱：NJG1812ME4

    ■功能名稱：高功率DPDT射頻開關 GaAs MMIC

    ■概要：

    NJG1812ME4 是最適合LTE/UMTS/CDMA/GSM等通信用途的高功率DPDT 射頻開關，特別適合天線切換用途。本產品可對應1.8V切換電壓，還具有低插入損耗、低失真、到3GHz保持高線性頻率特性等特點。此外，內置的ESD 保護元件使之具有高ESD 耐壓功能。在所有RF端子處不再需要隔直電容*。采用了EQFN12-E4 小型薄型化封裝。(*除去印加DC 偏壓的情況)
     
    ■特征：
    ●低切換電壓 (VCTL(H)=1.35～5.0V)
    ●低工作電壓 (VDD=2.7V typ.)
    ●低插入損耗 (0.25dB typ. @f=900MHz, PIN=+35dBm0.35dB typ. @f=1900MHz, PIN=+33dBm0.45dB typ. @f=2700MHz, PIN=+27dBm)
    ●低失真 (2nd harmonics=-89dBm typ. @ f=786.5MHz, PIN=+23dBm3rd harmonics=-89dBm typ. @ f=710MHz, PIN=+23dBm)P-0.1dB (+36 dBm min.)
    ●超小型薄型封裝 (EQFN12-E4 (2.0 x 2.0 x 0.397 mm typ.))
    ●符合RoHS 規格、無鹵化物、MSL1
     
  • 特征：

    • NJG1812ME4 是最適合LTE/UMTS/CDMA/GSM等通信用途的高功率DPDT 射頻開關，特別適合天線切換用途。本產品可對應1.8V切換電壓，還具有低插入損耗、低失真、到3GHz保持高線性頻率特性等特點。此外，內置的ESD 保護元件使之具有高ESD 耐壓功能。在所有RF端子處不再需要隔直電容*。采用了EQFN12-E4 小型薄型化封裝。(*除去印加DC 偏壓的情況)
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