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  • 產(chǎn)品名稱：
    TPS22916CLYFPR 負(fù)載開關(guān)
  • 功能名稱：
    負(fù)載開關(guān)
  • 概要：

    ■產(chǎn)品名稱：TPS22916CLYFPR

    ■功能名稱：具有輸出放電功能的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 泄漏負(fù)載開關(guān)

    ■概要:

    是一款小型單通道負(fù)載開關(guān)，采用低漏電 P 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。高級(jí)柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1V 的工作電壓，且增加超小的導(dǎo)通電阻和功率損耗。

    多個(gè)時(shí)序選項(xiàng)可支持各種系統(tǒng)負(fù)載條件。對(duì)于高容性負(fù)載，C 版本的慢速導(dǎo)通時(shí)序可更大限度減小浪涌電流。而在低容性負(fù)載中，B 版本的快速時(shí)序可減少所需的等待時(shí)間。

    開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)由數(shù)字輸入控制，此輸入可與低壓控制信號(hào)直接連接。此器件同時(shí)提供高電平有效和低電平有效 (L) 版本。首次加電時(shí)，此器件使用智能下拉電阻來(lái)保持 ON 引腳不懸空，直到系統(tǒng)時(shí)序控制完成。ON 引腳故意驅(qū)動(dòng)為高電平 (≥VIH) 后，便會(huì)斷開智能下拉電阻，從而防止不必要的功率損耗。

    ■特征：
    • ●輸入電壓范圍 (VIN)：1 V 至 5.5V
    • ●最大持續(xù)電流 (IMAX)：2A
    • ●導(dǎo)通電阻 (RON)：
      • 5V VIN = 60mΩ（典型值）、100mΩ（85°C 最大值）
      • 1.8V VIN = 100mΩ（典型值）、150mΩ（85°C 最大值）
      • 1V VIN = 200mΩ（典型值）、325mΩ（85°C 最大值）
    • ●超低功耗：
      • 導(dǎo)通狀態(tài) (IQ)：0.5µA（典型值）、1µA（最大值）
      • 關(guān)閉狀態(tài) (ISD)：10nA（典型值）、100nA（最大值）
      • TPS22916BL/CL/CNL (ISD)：100nA（典型值）、300nA（最大值）
    • ●ON 引腳智能下拉電阻 (RPD)：
      • ON ≥ VIH (ION)：10nA（最大值）
      • ON ≤ VIL (RPD)：750kΩ（典型值）
    • ●C 版本的慢時(shí)序可限制浪涌電流：
      • 5V 開通時(shí)間 (tON)：5mV/µs 時(shí)為 1400µs
      • 1.8V 開通時(shí)間 (tON)：1mV/µs 時(shí)為 3000µs
      • 1V 開通時(shí)間 (tON)：0.3mV/µs 時(shí)為 6500µs
    • ●B 版本的快速時(shí)序可減少等待時(shí)間：
      • 5V 開通時(shí)間 (tON)：57mV/µs 時(shí)為 115µs
      • 1.8V 開通時(shí)間 (tON)：12mV/µs 時(shí)為 250µs
      • 1V 開通時(shí)間 (tON)：3.3mV/µs 時(shí)為 510µs
    • ●常開的真反向電流阻斷 (RCB)：
      • 激活電流 (IRCB)：–500mA（典型值）
      • 反向泄漏電流 (IIN,RCB)：–300nA（最大值）
  • 特征：

    • ●輸入電壓范圍 (VIN)：1 V 至 5.5V ●最大持續(xù)電流 (IMAX)：2A ●導(dǎo)通電阻 (RON)： 5V VIN = 60mΩ（典型值）、100mΩ（85°C 最大值） 1.8V VIN = 100mΩ（典型值）、150mΩ（85°C 最大值） 1V VIN = 200mΩ（典型值）、325mΩ（85°C 最大值） ●超低功耗： 導(dǎo)通狀態(tài) (IQ)：0.5μA（典型值）、1μA（最大值） 關(guān)閉狀態(tài) (ISD)：10nA（典型值）、100nA（最大值） TPS22916BL/CL/CNL (ISD)：100nA（典型值）、300nA（最大值） ●ON 引腳智能下拉電阻 (RPD)： ON ≥ VIH (ION)：10nA（最大值） ON ≤ VIL (RPD)：750kΩ（典型值） ●C 版本的慢時(shí)序可限制浪涌電流： 5V 開通時(shí)間 (tON)：5mV/μs 時(shí)為 1400μs 1.8V 開通時(shí)間 (tON)：1mV/μs 時(shí)為 3000μs 1V 開通時(shí)間 (tON)：0.3mV/μs 時(shí)為 6500μs ●B 版本的快速時(shí)序可減少等待時(shí)間： 5V 開通時(shí)間 (tON)：57mV/μs 時(shí)為 115μs 1.8V 開通時(shí)間 (tON)：12mV/μs 時(shí)為 250μs 1V 開通時(shí)間 (tON)：3.3mV/μs 時(shí)為 510μs ●常開的真反向電流阻斷 (RCB)： 激活電流 (IRCB)：–500mA（典型值） 反向泄漏電流 (IIN
    • RCB)：–300nA（最大值）
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